位置：首页 > IC中文资料 > STH110N7F6-2
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STH110N7F6-2 | N-channel 68 V, 0.0053 Ω typ.,110 A, STripFET™ F6 Power MOSFET in a H2PAK-2 package Features • Very low on-resistance • Very low gate charge • High avalanche ruggedness • Low gate drive power loss Applications • Switching applications Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. Th | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STH110N7F6-2 | MOSFET | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
更新时间：2025-9-25 17:31:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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原厂封装 |
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NK/南科功率 |
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TO-263-2 |
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