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STGWT60H65DFB价格

参考价格:¥17.5364

型号:STGWT60H65DFB 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGWT60H65DFB多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGWT60H65DFB批发/采购报价,STGWT60H65DFB行情走势销售排行榜,STGWT60H65DFB报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STGWT60H65DFB

丝印代码:GWT60H65DFB;Trench gate field-stop 650 V, 60 A high speed HB series IGBT

Description These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. These devices are part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter.

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意法半导体

STGWT60H65DFB

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 包装:管件 描述:IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

STGWT60H65DFB

650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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意法半导体

STGWT60H65DFB

Low thermal resistance

文件:1.57984 Mbytes Page:19 Pages

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意法半导体

Low thermal resistance

文件:1.23474 Mbytes Page:16 Pages

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意法半导体

丝印代码:GW60H65DRF;60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with Ultrafast diode

文件:2.06606 Mbytes Page:13 Pages

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意法半导体

60 A, 650 V field stop trench gate IGBT

文件:1.43522 Mbytes Page:12 Pages

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Low thermal resistance

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意法半导体

STGWT60H65DFB产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGWT60H65DFB

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 功能描述

    IGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 功能描述

    IGBT 650V 60A HS TO3P-3L

更新时间:2026-3-18 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
24+
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928
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
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TO-3P
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原装优势主营型号-可开原型号增税票
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买原装认准中赛美
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原装正品假一罚百!可开增票!
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