型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STF60N55F3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =8.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

STF60N55F3

N-channel 55 V, 6.5 m廓, 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220 TO-220FP STripFET??III Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =8.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 55 V, 6.5 m廓, 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220 TO-220FP STripFET??III Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件:999.05 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-channel 55 V, 6.5 m廓, 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220 TO-220FP STripFET??III Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STF60N55F3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STF60N55F3

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch, 55V-6.5Mohms 80A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-2 9:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
20+
TO-220F
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
ST/意法
24+
TO-220F
60000
ST
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
SST
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
ST/意法
22+
TO220ISOFULLPACK
98440
ST
17+
TO-220F
6200
ST
25+
TO220F
308
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
ST/意法
24+
NA/
800
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ST/意法
10+
TO-220F
800
ST全系列
25+23+
TO-220F
26729
绝对原装正品全新进口深圳现货

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