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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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STF60N55F3 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =8.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | |
STF60N55F3 | N-channel 55 V, 6.5 m廓, 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220 TO-220FP STripFET??III Power MOSFET 文件：630.35 Kbytes Page：20 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =8.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
N-channel 55 V, 6.5 m廓, 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220 TO-220FP STripFET??III Power MOSFET 文件：630.35 Kbytes Page：20 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：999.05 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
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STF60N55F3产品属性
- 类型
描述
- 型号
STF60N55F3
- 功能描述
MOSFET N-Ch, 55V-6.5Mohms 80A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
800 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ORIGINAL |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ST |
20+ |
TO-220F |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
ST |
21+ |
TO-220属封 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ST/意法 |
2450+ |
TO-220F |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
ST/意法 |
23+ |
TO-220F |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
ST/意法 |
10+ |
TO-220F |
800 |
||||
SEMIWELL |
23+ |
TO-220 |
7500 |
原厂原装正品 |
|||
ST |
24+ |
TO-220F |
2500 |
原装现货热卖 |
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2022-2-17
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