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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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STF12NM60N | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.41Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | |
STF12NM60N | N-channel 600V - 0.35廓 - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh??Power MOSFET 文件：591.63 Kbytes Page：18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.41Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.03295 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-channel 600V - 0.35廓 - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh??Power MOSFET 文件：591.63 Kbytes Page：18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STF12NM60N产品属性
- 类型
描述
- 型号
STF12NM60N
- 功能描述
MOSFET N Ch 600V 0.35 Ohm 10A Pwr MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
8 |
TO-220F |
170 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ST/意法 |
24+ |
NA/ |
1000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ST |
20+ |
TO-220F |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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ST/意法 |
23+ |
TO220FP |
25000 |
只做进口原装假一罚百 |
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ST |
1926+ |
TO--220F |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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ST/意法 |
21+ |
TO-220FP-3 |
5000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
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ST |
24+ |
TO-220F |
1250 |
原装现货热卖 |
|||
ST |
25+ |
TOTO-220ISOF |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
ST |
25+23+ |
TO-220 |
16313 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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ST |
23+ |
TO-220 |
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