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位置：STW12NM60N > STW12NM60N详情

STW12NM60N中文资料

STW12NM60N
厂家型号

STW12NM60N
文件大小

591.63Kbytes
页面数量

18页
功能描述

N-channel 600V - 0.35廓 - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh??Power MOSFET

MOSFET Ultra Fast Recovery Diode
数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

相近规格书

STW12NM60N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STW12NM60N

  • 功能描述

    MOSFET Ultra Fast Recovery Diode

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

STW12NM60N供应商...

更新时间：2025-10-6 15:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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