N沟道900 V、1.90 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装

这款超高压N-沟道功率MOSFET采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。 • 业界领先的低 RDS(on) x 面积 \n• 业界出色的品质因数（FoM） \n• 极低的栅极电荷 \n• 经过100％雪崩测试 \n• 稳压保护;

丝印代码：4N90K5；N-channel 900 V, 1.90 廓 typ.,3 A MDmesh??K5 Power MOSFET in a DPAK package

文件：813.79 Kbytes Page：15 Pages

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 4.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 900V(Min) -RDS(on) = 2.1Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

丝印代码：4N90K5；N-channel 900 V, 1.90 廓 typ., 4 A MDmesh??K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

文件：726.22 Kbytes Page：13 Pages

丝印代码：4N90K5；N-channel 900 V, 1.90 廓 typ.,3 A MDmesh??K5 Power MOSFET in a TO-220 package

文件：742.66 Kbytes Page：13 Pages