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STD3N62K3数据表
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 620 V
Id-连续漏极电流: 2.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 13 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 45 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.4 mm
长度: 6.6 mm
系列: STD3N62K3
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.2 mm
商标: STMicroelectronics
下降时间: 15.6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 6.8 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
单位重量: 4 g
