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STD40P8F6AG

Automotive-grade P-channel -80 V, 18.5 m typ., -40 A STripFETTM F6 Power MOSFET in a DPAK package

Features  Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified  Very low on-resistance  Very low gate charge  High avalanche ruggedness  Low gate drive power loss Description This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new tre

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD40P8F6AG

汽车级P沟道-80 V、18.5 mOhm典型值、-40 A STripFET F6功率MOSFET,DPAK封装

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意法半导体

更新时间:2025-11-21 14:31:00
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