型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STD17N06

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.06 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175oC OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THROUG

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.065 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC ■ LOW GATE CHARGE ■ LOGIC LEVEL COMPATIBLE INPUT ■ 175oC OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CHARAC

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.06 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175oC OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THROUG

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD17N06产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STD17N06

  • 功能描述

    MOSFET REORD 511-STD16NE06 TO-251 N-CH 60V 17A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-11 11:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
NEW
TO-252
8795
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
ST
25+
TO-252
2987
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电!
ST/意法
22+
TO-252
25800
原装正品支持实单
ST
TO-251
68500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
ST/意法
23+
SOT-252
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
ON/安森美
23+
TO220
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
ST/意法
24+
TO-252
20000
只做原厂渠道 可追溯货源
ST/意法
20+
现货很近!原厂很远!只做原装
32500
现货很近!原厂很远!只做原装
ST
2447
SOT252
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
ST
23+
TO-89
7000
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购!

STD17N06数据表相关新闻