STD10P6F6价格

参考价格:¥1.1846

型号:STD10P6F6 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STD10P6F6多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STD10P6F6批发/采购报价,STD10P6F6行情走势销售排行榜,STD10P6F6报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STD10P6F6

P-channel60V,0.15廓typ.,10ASTripFET??VIDeepGATE??PowerMOSFETinDPAKandTO-220packages

Description ThesedevicesareP-channelPowerMOSFETsdevelopedusingtheSTripFET™F6technology,withanewtrenchgatestructure.TheresultingPowerMOSFETsexhibitverylowRDS(on)inallpackages. Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lo

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

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STD10P6F6

P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages

Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications

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P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages

Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications Description ThesedevicesareP-channelPowerMOSFETs developedusingtheSTripFET™F6technology, withanewtrenchgatestructure.

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意法半导体意法半导体(ST)集团

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P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages

Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications

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意法半导体意法半导体(ST)集团

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P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages

Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications Description ThesedevicesareP-channelPowerMOSFETs developedusingtheSTripFET™F6technology, withanewtrenchgatestructure.

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P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages

Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications

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N-Channel60V(D-S)MOSFET

文件:1.09165 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

STD10P6F6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STD10P6F6

  • 功能描述

    MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGate

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-21 22:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
标准
33957
热卖原装进口
ST
2020+
TO-252
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
ST/意法
22+
DPAK
100000
代理渠道/只做原装/可含税
ST/意法
23+
NA/
18520
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ST(意法半导体)
23+
TO-252
9555
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
ST
TO-252
21+
50000
原装正品现货,支持BOM配单!
ST/意法
22+
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30000
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ST/意法
23+
DPAK
3800
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22+
TO-252
5000
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21+
TO-252
21
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

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    製造商:STMicroelectronics 產品類型:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝/外殼:TO-252-3 晶體管極性:N-Channel 通道數:1Channel Vds-漏-源擊穿電壓:80V Id-C連續漏極電流:80A RdsOn-漏-源電阻:6.5mOhms Vgs-閘極-源極電壓:-20V,+20V Vgsth-門源門限電壓:4.5V

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