STB2N62K3价格

参考价格:¥4.8025

型号:STB2N62K3 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STB2N62K3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STB2N62K3批发/采购报价,STB2N62K3行情走势销售排行榜,STB2N62K3报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STB2N62K3

N-channel 620 V, 3 ohm, 2.2 A SuperMESH3 Power MOSFET

Description These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rende

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 620 V, 3 ohm, 2.2 A SuperMESH3 Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=2.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.0872 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET

文件:1.07827 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STB2N62K3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STB2N62K3

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 620V 2.2A MOS 3Ohm SuperMESH 3

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-14 20:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
1709+
TO-263/D2
32500
普通
STMicroelectronics
21+
TO-263(D2Pak)
1000
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!
ST/意法
22+
N
28000
原装现货只有原装.假一罚十
ST
25+23+
TO220
21102
绝对原装正品全新进口深圳现货
ST/意法
23+
TO-263
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
ST
2025+
TO-263-3
3577
全新原厂原装产品、公司现货销售
ST
24+
TO-263
7500
ST
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
ST
25+
D2PAK
35400
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
NK/南科功率
2025+
TO-263-2
986966
国产

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