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参考价格：￥33.2536

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STB25N80K5	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 19.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.26Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.	ISC 无锡固电	ISC
STB25N80K5	N沟道800 V、0.19 Ohm典型值、19.5 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB25N80K5	N-channel 800 V, 0.19 typ., 19.5 A SuperMESH 5 Power MOSFET in D2PAK 文件：1.65346 Mbytes Page：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STF25N80K5	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 19.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.26Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.	ISC 无锡固电	ISC
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更新时间：2025-11-5 10:46:00

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STB35N65DM2
STB35N65DM2芯片是一种功能强大、性能稳定的高性能功率MOSFET，具有广泛的应用前景。它的高效率、可靠性和多种保护功能使得它成为各种功率应用中的理想选择，将为工业、汽车和消费电子等领域的发展提供强大的支持。
2023-11-24
STB12NM50ND
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2023-8-2
STBR3012G2Y-T
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STBC08PMR 电池充电管理芯片 ST 封装DFN6
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STB20N90K5 瑞智芯只有原装
深圳市瑞智芯科技有限公司联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号：STB20N90K5 类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个制造商 STMicroelectronics 包装：1000 封装：TO-263-3
2021-9-18