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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance; -RDS(on) = 0.23Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

Extremely low gate charge

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance; -RDS(on) = 0.23Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 650 V, 0.205 typ., 14 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLATTM 8x8 HV package

Features  Extremely low gate charge  Excellent output capacitance (Coss) profile  100 avalanche tested  Zener-protected Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to its strip layout and improved vertical structure, the devices

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意法半导体

Extremely low gate charge

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意法半导体

更新时间:2026-1-1 16:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
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TO-263-3
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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公司只做原装 品质保障
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20+
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TO-263-3 (D2PAK)
ST/意法
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SST
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百

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    2021-9-18