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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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STB22N60DM6 | N沟道600 V、200 mOhm典型值、15 A MDmesh DM6功率MOSFET，D2PAK封装 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
N-channel 600 V, 200 m typ., 15 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO‑220FP package Features • Fast-recovery body diode • Lower RDS(on) per area vs previous generation • Low gate charge, input capacitance and resistance • 100 avalanche tested • Extremely high dv/dt ruggedness • Zener-protected Description This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-channel 600 V, 220 m typ., 13 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Features • Fast-recovery body diode • Lower RDS(on) per area vs previous generation • Low gate charge, input capacitance and resistance • 100 avalanche tested • Extremely high dv/dt ruggedness • Zener-protected Description This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2021-9-18
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