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STB21NM50N-1价格
参考价格：￥21.4745
型号：STB21NM50N-1 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STB21NM50N-1多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STB21NM50N-1批发/采购报价，STB21NM50N-1行情走势销售排行榜，STB21NM50N-1报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STB21NM50N-1 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 18A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.19Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | |
STB21NM50N-1 | N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET 文件：633.74 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STB21NM50N-1 | N-channel 500V - 0.15廓 - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 Second generation MDmesh??Power MOSFET 文件：463.2 Kbytes Page：18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STB21NM50N-1产品属性
- 类型
描述
- 型号
STB21NM50N-1
- 功能描述
MOSFET N-CHANNEL MFT
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
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STB21NM50N-1规格书下载地址
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2021-9-18
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