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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
20H100M	Quartz Crystals FEATURES • Ultra-miniature size: 3.2 x 2.5 x 0.8 (mm) • Wide frequency range • Seam sealing • Emboss taping • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
B20H100	Switch-mode Power Rectifier SWITCHMODE™ Power Rectifier 100 V, 20 A Features and Benefits • Low Forward Voltage: 0.64 V @ 125°C • Low Power Loss/High Efficiency • High Surge Capacity • 175°C Operating Junction Temperature • 20 A Total (10 A Per Diode Leg) • Guard−Ring for Stress Protection • Pb−Free	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
B20H100G	Switch-mode Power Rectifier SWITCHMODE™ Power Rectifier 100 V, 20 A Features and Benefits • Low Forward Voltage: 0.64 V @ 125°C • Low Power Loss/High Efficiency • High Surge Capacity • 175°C Operating Junction Temperature • 20 A Total (10 A Per Diode Leg) • Guard−Ring for Stress Protection • Pb−Free	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CF20H100CT	20A Trench Schottky Rectifier 文件：470.42 Kbytes Page：3 Pages	CITC 竹懋科技	CITC
FERD20H100S	100 V field-effect rectifier diode 文件：545.32 Kbytes Page：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

STB20H100CR供应商更多...

更新时间：2026-1-3 23:07:01

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STB35N65DM2
STB35N65DM2芯片是一种功能强大、性能稳定的高性能功率MOSFET，具有广泛的应用前景。它的高效率、可靠性和多种保护功能使得它成为各种功率应用中的理想选择，将为工业、汽车和消费电子等领域的发展提供强大的支持。
2023-11-24
STB12NM50ND
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2023-8-2
STB13NM60N
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2022-8-11
STBC08PMR
STBC08PMR 电池充电管理芯片 ST 封装DFN6
2022-8-2
STB20N90K5 瑞智芯只有原装
深圳市瑞智芯科技有限公司联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号：STB20N90K5 类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个制造商 STMicroelectronics 包装：1000 封装：TO-263-3
2021-9-18
STA516BETR音频IC现货供应
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2019-12-5