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STB19NF20_V01

N-channel 200 V, 0.11 Ω, 15 A, MESH OVERLAY™ Power MOSFETs in D2PAK, DPAK, TO‑220FP and TO-220 packages

Features • Extremely high dv/dt capability • Gate charge minimized • Very low intrinsic capacitance Applications • Switching applications Description These Power MOSFETs are designed using STMicroelectronics' consolidated striplayout- based MESH OVERLAY™ process. The result is a

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-11-20 11:06:00
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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