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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 17A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.295Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC

ISC

无锡固电

N-channel 800 V, 0.25 廓, 17 A, MDmes Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 17A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.295Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC

ISC

无锡固电

N-channel 800 V, 0.25 廓, 17 A, MDmesh??Power MOSFET in D짼PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages

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意法半导体

N-channel 800 V, 0.25 廓, 17 A, MDmes Power MOSFET

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更新时间:2025-12-27 17:05:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
ST/意法
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D2PAK
880000
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TO-263-3(D2PAK)
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SOT263
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