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STB13N80K5_V01

N-channel 800 V, 0.37 Ω typ., 12 A MDmesh™ K5 Power MOSFETs in D²PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247

Features  Industry’s lowest RDS(on) x area  Industry’s best FoM (figure of merit)  Ultra-low gate charge  100 avalanche tested  Zener-protected Applications  Switching applications Description These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 techno

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-8-20 17:15:00
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