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STB130N6F7

Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB130N6F7

N沟道60 V、4.2 mOhm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET,D2PAK封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Isc N-Channel MOSFET Transistor

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Isc N-Channel MOSFET Transistor

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意法半导体

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无锡固电

High avalanche ruggedness

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意法半导体

更新时间:2025-11-21 18:13:00
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