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芯片资料

参考价格：￥6.3531

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STD120N4F6	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=40V,ID=80A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司
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STD120N4F6	N-Channel4-V(D-S)MOSFET 文件：1.00332 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
STL120N4F6AG	Wettableflankpackage 文件：971.02 Kbytes Page：15 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

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更新时间：2025-6-7 18:39:00

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STB12NM50ND
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2023-8-2
STA50613TR
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2023-4-18
STB13NM60N
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2022-8-11
STB20N90K5 瑞智芯只有原装
深圳市瑞智芯科技有限公司联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号：STB20N90K5 类别分立半导体产品晶体管-FET，MOSFET-单个制造商STMicroelectronics 包装：1000 封装：TO-263-3
2021-9-18
STA516BETR音频IC现货供应
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2019-12-5
STA500-30V的3.5A的四边形电力半桥
最小输入输出的脉冲宽度失真200mW的互补的DMOS导通电阻输出级CMOS兼容的逻辑输入热保护热报警输出过压，欠压保护描述STA500是单片四桥的一半Multipower阶段BCD工艺。该设备可以用作双桥或重新配置，通过连接的CONFIG引脚VDD引脚，与目前的单桥双能力，并作为半桥半（二进制模式）...电流能力。该装置是格外旨在使输出阶段一立体声全数字高效率（DDX的™）放大器可提供30W的输出功率30+在8W的负载和60瓦的8W的负载在桥梁BTL配
2013-2-6