| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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STB10NA40 | N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.46Ω ■±30VGATETOSOURCEVOLTAGERATING ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100oC ■LOWINTRINSICCAPACITANCES ■GATECHARGEMINIMIZED ■REDUCEDTHRESHOLDVOLTAGESPREAD ■THROUGH-HOLEI2PAK( | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 |  |   |
N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS( | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | | |
N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS( | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | | |
N-CHANNELENHANCEMEMTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogavethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(o | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | | |
Plug-inSignalConditionersM-UNIT 文件：105.86 Kbytes Page：3 Pages | MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
1000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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ST/意法 |
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TO 263 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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ST |
25+23+ |
TO263 |
74313 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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ST |
23+ |
TO-263 |
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ST |
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TO-263 |
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N/A |
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ST |
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TO-263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
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ST |
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TO-263 |
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ST |
05+ |
TO-263 |
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TO |
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2013-2-6
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