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ST9435GP

P Channel Enhancement Mode MOSFET

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STANSON

司坦森

ST9435GP

Tranch MOSFET

STANSON

司坦森

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

DESCRIPTION The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES ● VDS = -30V,ID = -5.1A RDS(ON)

HOTTECH

合科泰

SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS

Description The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS , low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. General Features VDS = -30V RDS

TUOFENG

拓锋半导体

20V P-Channel Increased MOS FET

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FUMAN

富满微

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

MACHINE SCREW PAN PHILLIPS 10-32

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KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

更新时间:2025-11-3 23:00:00
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