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6 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

Description Wolfspeed’s CGHV1J006D is a high voltage gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) on a silicon carbide substrate, using a 0.25 μm gate length fabrication process. This GaN-on-SiC product offers superior high frequency, high efficiency features. It is ideal for

WOLFSPEED

6 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

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Cree

科锐

更新时间:2025-12-26 15:02:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MACOM
25+
NV
2025424
明嘉莱只做原装正品现货
CREE(科锐)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
CREE
638
原装正品
Cree/Wolfspeed
22+
Die
9000
原厂渠道,现货配单
Wolfspeed
25+
Tube
4430
郑重承诺只做原装进口现货
CREE/科锐
23+
1000000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
CREE/科锐
14+
die
50
CREE优势订货-军工器件供应商
CREE
25+
SMD
560
原装正品公司现货!
CREE
24+
SMD
600
“芯达集团”专营军工百分之百原装进口
CREE
17+
BGA
60000
保证原装进口现货可开17%增值税发票

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