| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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SJ-MOS | super 超致半导体 |   | ||
20A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET ■ DESCRIPTION The UTC 20N60 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand | UTC 友顺 | | ||
HiPerFAST IGBT VCES = 600 V IC25 = 40 A VCE(sat)typ = 1.7 V tfi(typ) = 100 ns Features • International standard packages JEDEC TO-268 surface mountable and JEDEC TO-247 AD • High current handling capability • Latest generation HDMOSTM process • MOS Gate turn-on - drive simplicity | IXYS 艾赛斯 | | ||
Fast Switching 文件：95.42 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET 文件：1.15549 Mbytes Page：11 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
20A 600V N-channel enhanced field effect transistor 文件：833.85 Kbytes Page：6 Pages | YFWDIODE 佑风微 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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DDC |
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