超致半导体成立于2015年，位于有“中国硅谷”之称的上海张江高科技园区，拥有一支功率半导体器件从业经验超过15年的设计与运营团队。是全球首家超结IGBT器件原厂，也是国内首家多层外延超结MOS原厂。公司专注功率半导体器件的研发和创新，产品涵盖范围广，包括高压超结MOS、中低压SGT-MOS、超结IGBT、SiC-MOS以及SiC-SBD等。公司产品定位高端，高压MOS采用国际主流的多层外延工艺，在性能和可靠性等方面得到市场的充分肯定，且在主要应用领域服务于头部客户，应用范围包括UPS、服务器电源、充电桩、OBC等工业市场。自2021年开始，公司在专业领域的创新技术和各项专利受到知名资本的青睐，超致半导体在公司规模、新产品的研发、专业人才的培养等各方面持续成长，志在为国产半导体事业贡献力量。

我们的超结IGBT，在传统IGBT的基础上做了技术创新，关键参数均得到明显提升，特点包括：更高的电流密度、更低的开关损耗、更小的封装形式。

高压超结MOS、中低压SGT-MOS、超结IGBT、SiC-MOS以及SiC-SBD