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SSH8N80A	N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES • Avalanche Rugged Technology • Rugged Gate Oxide Technology • Lower Input Capacitance • Improved Gate Charge • Extended Safe Operating Area • Lower Leakage Current: 25µA (Max.) @ VDS= 800V • Lower RDS(ON): 1.000Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSH8N80A	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：272.41 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SSH8N80A	N-CHANNEL POWER MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
8N80	800V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION The UTC8N80 is an N-channel mode Power FET, it uses UTC’s advanced technology to provide costumers planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance, superior switching performance. It also can withstand high energy pulse in the avalanche and co	UTC 友顺	UTC
8N80	Drain Current ?밒D= 8A@ TC=25C 文件：154.36 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
8N80	8A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：780.18 Kbytes Page：10 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
8N80	8A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：779.27 Kbytes Page：10 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
8N80	8A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：779.03 Kbytes Page：10 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH

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更新时间：2025-9-30 22:59:00

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SSG9960
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2021-10-21
SSFN3317
SSFN3317,全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.
2021-7-22
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2019-11-13
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2019-10-23
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2012-12-19