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400V N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withst

Fairchild

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=17.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=400V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.27Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISC

无锡固电

400V N-Channel MOSFET

Features • 12.2A, 400V, RDS(on) = 0.27Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 45 nC) • Low Crss ( typical 30 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability

Fairchild

仙童半导体

N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

400V N-CHANNEL MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-12-25 23:01:01
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原装正品 可含税交易

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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729

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