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500V N-Channel MOSFET

Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig

FAIRCHILD

仙童半导体

500V N-Channel MOSFET

500V N-Channel MOSFET

FAIRCHILD

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 400mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

TMOS POWER FET 16 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.40 OHM

TMOS E−FET Power Field Effect Transistor D3PAK for Surface Mount N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced TMOS E–FET is

MOTOROLA

摩托罗拉

SMPS MOSFET

文件:169.76 Kbytes Page:8 Pages

IRF

更新时间:2026-5-24 23:00:01
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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729

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    SSFM2508,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    SSI34P3402A设备是一种高性能BiCMOS单芯片均包含所有的读取通道IC要实现一个自适应的功能门槛读取通道。功能模块包括脉冲检测器自适应阈值限定符,可编程过滤器,和数据同步。原始数据8日至53 Mbit / s的速率,可以通过数字编程命令。SSI34P3402A允许在读完整的灵活性通道配置。所有关键参数都可以由微处理器通过一个双向的编程串行端口和一个银行内部寄存器。SSI34P3402A利用先进的BiCMOS随着工艺技术先进的电路设计结果在一个高性能的设备技术与低功耗。 特点 •8日至53 Mbit / s的原始数据速率 &

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