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MRFE6S9130HR3	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for N-CDMA, GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 865 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications. • Typical Single-Carrier N-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 950 mA, Pout = 27 Watts Avg., f = 880 MHz, IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Tr	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
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SRFE6S9130HR3供应商更多...

更新时间：2025-12-27 22:50:01

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SRK1004同步整流控制器
SRK1004同步整流控制器
2024-1-10
SRF1280-100M 屏蔽 2 线圈电感器阵列 40 µH 电感 - 串联连接 10 µH 电感 - 并联连接 24.1 毫欧最大直流电阻 (DCR) - 并联 6.04 A 非标准
SRF1280-100M
2023-3-7
SRF0703-4R7M 屏蔽 2 线圈电感器阵列 18.8 µH 电感 - 串联连接 4.7 µH 电感 - 并联连接 40.6 毫欧最大直流电阻 (DCR) - 并联 3.09 A 非标准
SRF0703-4R7M
2023-3-7
SRMX6QDW00D02GE000V15C0深圳现货
SRMX6QDW00D02GE000V15C0深圳现货
2022-7-5
SRF0905A-102Y-Bourns-芯立源电子
SRF0905A-102Y-Bourns-芯立源电子
2020-8-11
SRM4010-直流转换器
该模块是一个完整的SRM4010解决方案实施非常高效率同步整流和消除了许多问题与selfdriven方法。该模块连接到变压器次级的转发转换器提供完整的高电流在整流输出电压范围从5伏到1.0伏下来，在高热效表面贴装封装。整流效率高达95％达到避免交叉传导。专用IC提供了有效栅驱动超低RDS（ON）中所用的MOSFET模块。在传统的自驱动临近，MOSFET驱动尽快结束作为电力变压器完成复位。这将导致增加的占空比损失减少。控制电路的SRM4010无论是正向或驱动器的产量在几乎整个MOSFET的占空比。只有一小预测的时间，通常为100 ns，才能避免交叉传导。在SRM4010是设计用于处理大占空比的突
2013-2-11