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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRFE6S9130HR3 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for N-CDMA, GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 865 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications. • Typical Single-Carrier N-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 950 mA, Pout = 27 Watts Avg., f = 880 MHz, IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Tr | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRFE6S9130HR3 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 文件：419.22 Kbytes Page：11 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | |
MRFE6S9130HR3 | 封装/外壳：SOT-957A 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 66V 880MHZ NI-780 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
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MRFE6S9130HR3产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRFE6S9130HR3
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 130W NI780H
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
23+ |
原厂原包封装 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
|||
FREESCALC |
0752+ |
NI-780H-2L |
27 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FREESCALE |
24+ |
145 |
现货供应 |
||||
恩XP |
25+ |
NI-780 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
Freescale(飞思卡尔) |
24+ |
标准封装 |
7163 |
我们只是原厂的搬运工 |
|||
Freescale |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
恩XP |
2450+ |
NI-780 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
恩XP |
25+ |
SOT-957A |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
FREESCALE |
25+ |
NI-780 |
1200 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
FREESCALE |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
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