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MRFE6S9130HR3	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for N-CDMA, GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 865 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications. • Typical Single-Carrier N-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 950 mA, Pout = 27 Watts Avg., f = 880 MHz, IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Tr	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRFE6S9130HR3	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 文件：419.22 Kbytes Page：11 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale

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更新时间：2025-8-14 17:00:00

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MRF8P9300HSR6
MRF8P9300HSR6
2023-12-15
MRF6S9125N原装现货热卖
MRF6S9125N射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
2021-2-3
MRF6V3090NBR1射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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2020-11-24
MRF6V3090NR5 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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2020-11-24
MRF6S21140HR5，MRF6S21140HS，MRF6S21140HSR5，MRF6S21190H
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2020-3-26
MRF572
MRF572，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-30