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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
AutomotiveN-Channel150V(D-S)175째CMOSFET 文件：234.35 Kbytes Page：11 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |  |   | |
AutomotiveP-Channel80V(D-S)175째CMOSFET 文件：187.11 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
AutomotiveN-Channel100V(D-S)175째CMOSFET 文件：248.15 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
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AutomotiveP-Channel30V(D-S)175°CMOSFET 文件：179.8 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
AutomotiveP-Channel60V(D-S)175째CMOSFET 文件：179.68 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
AutomotiveN-Channel100V(D-S)175°CMOSFET 文件：187.28 Kbytes Page：11 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
N-Channel100-V(D-S)MOSFET 文件：985.13 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
40Amps,100VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●40A,100V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V/20A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability | CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司 |  | | |
FastSwitching FEATURES •DrainCurrentID=40A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.04Ω(Max) •FastSwitching APPLICATIONS •Switchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
40Amps,100VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●40A,100V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V/20A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability | CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司 | | | |
40Amps,100VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●40A,100V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V/20A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability | CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司 | | | |
N-Channel100-V(D-S)MOSFET 文件：983.6 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | |
SQD40N10产品属性
- 类型
描述
- 型号
SQD40N10
- 功能描述
MOSFET 100V 40A 136W 25mohm @ 10V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Siliconix |
24+ |
TO-252AA |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
威士 |
2110+ |
TO-252 |
6000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VISHAY/威世 |
2046+ |
9852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
||||
VISHAY/威世三极管 |
24+23+ |
TO-252 |
12580 |
16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品 |
|||
威士 |
24+ |
TO-252 |
13270 |
||||
VISHAY |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
||||
Vishay(威世) |
N/A |
33800 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
Vishay(威世) |
23+ |
标准封装 |
7346 |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
SQD40N10芯片相关品牌
SQD40N10规格书下载地址
SQD40N10参数引脚图相关
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- t2010
- t100k
- sw-262
- stm32f103
- stm32
- stk
- stc89c52rc
- stc12c5a60s2
- st70
- st18
- sst25vf040
- sr2m
- SQL360
- SQL100A
- SQ-H44R
- SQ-H40A
- SQG75P
- SQG75L
- SQG75C
- SQG53P
- SQG53L
- SQG53C
- SQG32P
- SQG32L
- SQG32C
- SQF-UDM
- SQF-PDM
- SQFP80
- SQFP56
- SQF-P25
- SQFP100
- SQF-P10
- SQD43N41
- SQD43N37
- SQD43N32
- SQD43N31
- SQD41Y47
- SQD41Y42
- SQD41Y41
- SQD41Y37
- SQD41Y32
- SQD41Y31
- SQD41N47
- SQD41N42
- SQD41N41
- SQD41N37
- SQD41N32
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