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SQD40N10-25-GE3中文资料

厂家型号

SQD40N10-25-GE3

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985.13Kbytes

页面数量

8

功能描述

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

MOSFET 100V 40A 136W 25mohm @ 10V

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SQD40N10-25-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SQD40N10-25-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 100V 40A 136W 25mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-9 9:48:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
21+
TO252
10026
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Vishay(威世)
24+
标准封装
7695
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期
VIS
23+
TO252
5000
原装正品,假一罚十
VISHAY
20+
TO-252
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原装优势主营型号-可开原型号增税票
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VISHAY/威世
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