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SQD40N10-25-GE3

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:985.13 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SQD40N10-25-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SQD40N10-25-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 100V 40A 136W 25mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-29 21:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
20+
TO-252
63258
原装优势主营型号-可开原型号增税票
VBsemi
21+
TO252
10026
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
VBsemi/台湾微碧
22+
TO-252
20000
公司只做原装 品质保证
VISHAY
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
VISHAY/威世
23+
TO252
50000
只做原装正品
VISHAY
24+
TO252
1995
假一赔百原装正品价格优势实单可谈
原厂
24+
N/A
10000
只做现货
VISHAY/威世
新年份
TO-252
68552
一级代理原装正品现货,支持实单!
VISHAY
25+
to-252
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
VIS
23+
TO252
5000
原装正品,假一罚十

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