型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRIPTION • Ultra low gate charge • High peak current capability • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.38Ω • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

ISC

无锡固电

Cool MOS??Power Transistor

Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC0) for ta

Infineon

英飞凌

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.033599 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated

文件:1.01964 Mbytes Page:15 Pages

Infineon

英飞凌

Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology

文件:574.74 Kbytes Page:15 Pages

Infineon

英飞凌

SPI11N65C3IN产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPI11N65C3IN

  • 制造商

    Infineon Technologies AG

更新时间:2025-10-10 16:24:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    联系人:刘冬英 电话:0755-83203002 手机:18138231376 QQ号:1546282226、微信号:18138231376 公司名称:深圳市光华微科技有限公司 Shenzhen Guanghua Micro Technology Co., Ltd 公司地址:深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室

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