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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SPD30N03S2L-20 | OptiMOS Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant | INFINEON 英飞凌 |   | |
SPD30N03S2L-20 | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC | VBSEMI 微碧半导体 | | |
SPD30N03S2L-20 | OptiMOS Power-Transistor | INFINEON 英飞凌 | | |
SPD30N03S2L-20 | OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level 文件：687.74 Kbytes Page：9 Pages | INFINEON 英飞凌 | | |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level 文件：687.74 Kbytes Page：9 Pages | INFINEON 英飞凌 | | ||
OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level | INFINEON 英飞凌 | | ||
OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level 文件：687.74 Kbytes Page：9 Pages | INFINEON 英飞凌 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 30A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 20mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
OptiMOS Power-Transistor 文件：157.77 Kbytes Page：8 Pages | INFINEON 英飞凌 | |
SPD30N03S2L-20产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPD30N03S2L-20
- 功能描述
MOSFET N-CH 30V 30A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-6-18
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