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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SIPMOS Power Transistor Features • N channel • Enhancement mode • Avalanche rated • dv/dt rated | INFINEON 英飞凌 |   | ||
SIPMOS횘 Power Transistor Features N channel Enhancement mode Avalanche rated 文件：830.68 Kbytes Page：10 Pages | INFINEON 英飞凌 | | ||
SIPMOS횘 Power Transistor Features N channel Enhancement mode Avalanche rated 文件：830.68 Kbytes Page：10 Pages | INFINEON 英飞凌 | | ||
Power Filed Effect Transistor FEATURES ● Robust High Voltage Termination ● Avalanche Energy Specified ● Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode ● Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits ● IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature | JIANGSU 长电科技 | | ||
SIPMOS Power Transistor Features • N channel • Enhancement mode • Avalanche rated • dv/dt rated | INFINEON 英飞凌 | |
SPD07N20XT产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPD07N20XT
- 制造商
Infineon Technologies AG
- 功能描述
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-252D-PAK |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO252 |
6996 |
只做原装正品现货 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-252 |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
|||
INFINEON |
22+ |
P-TO252-3-1 |
16768 |
原装现货库存.价格优势 |
|||
INFINE0N |
21+ |
DPAK (TO-252) |
32568 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-252D-PAK |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
Infineon |
26+ |
模块 |
86720 |
代理授权原装正品价格最实惠 本公司承诺假一赔百 |
|||
INF |
23+ |
TO-252 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-252 |
36800 |
||||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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2019-6-18
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