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SPD03N50C3	Cool MOS Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance • Pb-free lead plating; RoHS compliant; available Halogen free mold compound a) • Qualified according	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD03N50C3	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Improved transconductance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤1.4Ω • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation	ISC 无锡固电	ISC
SPD03N50C3	Cool MOS Power Transistor 文件：630.71 Kbytes Page：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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更新时间：2025-12-27 10:57:01

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2022-8-25
SPC574K72E5C6FAR
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2019-6-18