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ISPD03N50C3 | N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤1.4Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   |
N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤1.4Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
CoolMOSPowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •Pb-freeleadplating;RoHScompliant;availableHalogenfreemoldcompounda) •Qualifiedaccording | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | | |
CoolMOSPowerTransistor 文件：630.71 Kbytes Page：11 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
CoolMOSPowerTransistor 文件：720.94 Kbytes Page：11 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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LAT |
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65480 |
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ISOCOM |
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DIP-6 |
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原装现货 |
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2020-8-26ISPGAL22V10C-10LJ，lattice专业户，现货支持
德信电子（香港）有限公司 客服经理：林先生 联系电话：0755-33359577
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2019-7-22
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