型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SPB35N10

SIPMOS Power-Transistor

文件:480.7 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

SPB35N10

SIPMOS Power-Transistor

Infineon

英飞凌

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:982.74 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Fast Switching

文件:49.94 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel Super Trench Power MOSFET

文件:1.0282 Mbytes Page:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:984.26 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

POWER MOS FIELD - EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD - EFFECT TRANSISTORS

文件:217.02 Kbytes Page:4 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

SPB35N10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPB35N10

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    SIPMOS®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-12-27 17:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INF
08+
TO-263
11937
Infineon Technologies
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
INF
25+23+
TO-263
27806
绝对原装正品全新进口深圳现货
INFINEON
20+
P-TO263-3-2
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
INFINEON/英飞凌
23+
P-TO263-3-2
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
INFINEON
24+
TO-263
90000
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理
INF
2450+
TO-263
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
INF
08+
TO-263
11937
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Infineon
22+
SOT263
20000
公司只有原装 品质保障
INFINEON
24+
P-TO263-3-2
8866

SPB35N10数据表相关新闻