型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SPB35N10

SIPMOSPower-Transistor

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

FastSwitching

文件:49.94 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET

文件:1.0282 Mbytes Page:7 Pages

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HMSEMI

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

文件:984.26 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

POWERMOSFIELD-EFFECTTRANSISTORSN-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS

文件:217.02 Kbytes Page:4 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

ETC1

SPB35N10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPB35N10

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    SIPMOS®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2024-6-23 18:33:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
infineon
2020+
P-TO263-3-2
16800
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?
Infineon
SOT263
6000
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
INFINEON/英飞凌
2024+实力库存
TO263-3-2
20000
只做原厂渠道 可追溯货源
INFINEON-英飞凌
24+25+/26+27+
TO-263-3
83500
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
INFINEON
23+
TO-263
7936
INFINEON
08+(pbfree)
P-TO263-3-2
8866
INFINEON
23+
TO-263
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
INFINEON/英飞凌
2021+
SOT263
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
INFINEON/英飞凌
23+
TO-263
10000
公司只做原装正品
INFINEON
20+
P-TO263-3-2
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票

SPB35N10芯片相关品牌

  • ABC
  • CIT
  • CONTRINEX
  • EPCOS
  • GMT
  • LRC
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  • TSC
  • Vishay

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