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SPP35N10中文资料

厂家型号

SPP35N10

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480.7Kbytes

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8

功能描述

SIPMOS Power-Transistor

MOSFET N-CH 100V 35A

数据手册

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生产厂商

INFINEON

SPP35N10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPP35N10

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 100V 35A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-5 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
25+
TO-220
20300
INFINEON/英飞凌原装特价SPP35N10即刻询购立享优惠#长期有货
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原厂原装正品
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原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
Infineon
原厂封装
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原装进口公司现货假一赔百
INFINEON
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代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订