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SPB17N80C价格

参考价格：￥14.7713

型号：SPB17N80C3 品牌：Infineon 备注：这里有SPB17N80C多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SPB17N80C批发/采购报价，SPB17N80C行情走势销售排行榜，SPB17N80C报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SPB17N80C3

CoolMOS??PowerTransistor

Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO220 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •PG-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute) •Pb

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPB17N80C3

IscN-ChannelMOSFETTransistor

•FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
SPB17N80C3

CoolMOS짰PowerTransistor

文件：432.09 Kbytes Page：10 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPB17N80C3

CoolMOS짰PowerTransistorFeaturesnewrevolutionaryhighvoltagetechnology

文件：326.37 Kbytes Page：10 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPB17N80C3_07

CoolMOS짰PowerTransistorFeaturesnewrevolutionaryhighvoltagetechnology

文件：326.37 Kbytes Page：10 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPB17N80C3_11

CoolMOS짰PowerTransistor

文件：432.09 Kbytes Page：10 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IXFH17N80Q

HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class

HiPerFET™PowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,LowQg Features •IXYSadvancedlowQgprocess •Internationalstandardpackages •LowRDS(on) •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Fastswitching •MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabili

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXFH17N80Q

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXFN17N80

HIPERFETPowerMOSFTETs

HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXFT17N80Q

HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class

HiPerFET™PowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,LowQg Features •IXYSadvancedlowQgprocess •Internationalstandardpackages •LowRDS(on) •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Fastswitching •MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabili

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
SIHA17N80AE

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Loweffectivecapacitance(Co(er)) •Reducedswitchingandconductionlosses •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Serverandtelecompower

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

SPB17N80C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPB17N80C

  • 功能描述

    MOSFET COOL MOS PWR TRANS 800V

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

SPB17N80C供应商更多...

更新时间：2024-6-23 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
SPB17N80C3ATMA1
Infineon(英飞凌)
23+
TO-263
3524
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SPB17N80C3
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深圳市得捷芯城科技有限公司
SPB17N80C3ATMA1
Infineon(英飞凌)
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SPB17N80C3ATMA1
INFINEON/英飞凌
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深圳市昌和盛利电子有限公司
SPB17N80C3
INFINEON
23+
TO-263
7936
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