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型号	功能描述	生产厂家&企业
SPA11N60C3	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SPA11N60C3	CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology 文件：659.64 Kbytes Page：16 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
ISPP11N60C3	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.38Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
ISPW11N60C3	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤380mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
11N60C3	N-Channel650V(D-S)MOSFET 文件：1.84713 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

SPA11N60C3FETIGBTIC供应商更多...

更新时间：2024-6-17 16:39:01

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2021-10-20
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SPA20N60CFD-CoolMOS功率晶体管
特点•新的革命高电压技术•内在的快速恢复体二极管•极低的反向恢复电荷•超低栅极电荷•至尊的dv/dt的额定•高峰值电流能力•定期雪崩额定•合格的为工业级应用根据JEDEC0）•无铅引脚电镀，符合RoHS标准
2012-11-10