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N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitance •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.95Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice per

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

CoolMOS??PowerTransistor

Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology

Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

文件:2.1288 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelMOSFETTransistor

文件:335.62 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-6-24 10:50:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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TO263-3-2
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INFINEON/英飞凌
21+23+
PG-TO263-3
9632
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
INFINEON
SOT263
699839
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Infineon(英飞凌)
23+
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589610
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INFINEON/英飞凌
22+
TO-263
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    SPB100N032L-03,SPB100N04S2L-03,SPB11N60C2,SPB11N60S5E3045A,SPB160N04S2-03,SPB20N60C3E3045A,SPB80N03S2L-03,SPB80N03S2L05,SPB80N03S2L-05,SPB80N06S2L-05,SPB80P06P,SPP02N60S5,SPP04N60C2

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