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ISPP04N60S5	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRIPTION • Ultra low gate charge • Ultra low effective capacitance • Improved transconductance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.95Ω • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device per	ISC 无锡固电	ISC
SPB04N60S5	Cool MOS??Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPB04N60S5	Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance • Qualified according to JEDEC0) for target applications	INFINEON 英飞凌	INFINEON
04N60S5	N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET 文件：2.1288 Mbytes Page：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ISPD04N60S5	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.62 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

ISPP04N60S5供应商更多...

更新时间：2026-1-28 21:39:00

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ISPPAC-CLK5610AV-01T48C十年IC，只做原装。
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2020-10-13
ISSI原装正品 IS61LV25616AL-10BLI 鸿裕兴供应 IS31FL3236-QFLS2-TR 优质库存
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2020-8-31
ISPLSI5128VE-100LT128，lattice专业户，现货支持
德信电子（香港）有限公司客服经理：林先生联系电话：0755-33359577
2019-7-22
ISPLSI2096V-80LT128
ISPLSI2096V-80LT128 本公司具备一般纳税人，可开13点增值税票，货源渠道保证原厂原装正品IC，诚信为本，薄利多销。
2019-5-7
ISPLSI2096V-80LQ128
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2019-5-7
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2018-12-28