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P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters

VBSEMI

微碧半导体

Silicon Darlington Transistors High Current, General Purpose

Description: The NTE2349 (NPN) and NTE2350 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO3 type package designed for use as output devices in general purpose amplifier applications. Features: • High DC Current Gain: hFE = 1000 (Min) @ IC = 25A hFE = 400 (Min) @ IC

NTE

2SC3229

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KEC

KEC(Korea Electronics)

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德州仪器

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BURR-BROWN

更新时间:2025-12-26 11:10:01
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    描述 设备的SP2525是一个单一的+3.0 V至+5.5 V的电源控制开关的USB监控的理想选择自供电及总线供电的通用串行总线(USB)的应用。该SP2525器件具有低导通电阻(80mW典型值),可提供500mA的最低水平。故障值2.0A电流限制在典型和标志输出引脚可用于指示故障到USB控制器的条件。在1毫秒的SP2525设备软启动将消除任何一时对上游端口电压下降时可能出现的开关启用总线供电的应用。热关断功能将防止永久性损坏SP2525device时,受到了过多的电流负载。在欠压锁定功能将确保SP2525器件将保持关闭状态,除非有一个有效的输入电压。

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