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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
NTE2349	SiliconDarlingtonTransistorsHighCurrent,GeneralPurpose Description: TheNTE2349(NPN)andNTE2350(PNP)aresiliconcomplementaryDarlingtontransistorsinaTO3typepackagedesignedforuseasoutputdevicesingeneralpurposeamplifierapplications. Features: •HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=25A hFE=400(Min)@IC	NTE NTE Electronics
ME2349D	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
KTC2349	2SC3229 文件：177.97 Kbytes Page：5 Pages	KECKEC CORPORATION KEC株式会社
OPA2349	1A,Rail-to-RailI/OCMOSOPERATIONALAMPLIFIERS 文件：1.1405 Mbytes Page：23 Pages	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
OPA2349	1mA,Rail-to-Rail,CMOSOPERATIONALAMPLIFIERS 文件：141.55 Kbytes Page：7 Pages	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)

类型
描述
型号
NTE2349
制造商
NTE Electronics
功能描述
TRANSISTOR NPN SILICON DARLINGTON 120V IC=50A TO-3 CASE COMPLEMENT TO NTE2350
制造商
NTE Electronics
功能描述
DARLINGTON TRANSISTOR NPN 120V TO-3
制造商
NTE Electronics
功能描述
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 120V, TO-3
制造商
NTE Electronics
功能描述
T-NPN-SI DARL- HI PWR
制造商
NTE Electronics
功能描述
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 120V, TO-3; Transistor
Polarity
NPN; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo
120V; Power Dissipation
Pd
300W; DC Collector
Current
50A; DC Current Gain
hFE
1000; Operating Temperature
Min
-55C; No. of
Pins
2 ;RoHS
Compliant
Yes
制造商
NTE Electronics
功能描述
Trans Darlington NPN 120V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-3

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更新时间：2025-5-11 11:10:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NTE2349	NTE	23+	-3	39267	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	NTE2349		24+	N/A	52000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
上海金庆电子技术有限公司	NTE2349		新		9	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	NTE2349		2022+		5	全新原装货期两周	询价