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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

DESCRIPTION The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES ● VDS = -30V,ID = -5.1A RDS(ON)

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰电子有限公司

SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS

Description The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS , low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. General Features VDS = -30V RDS

TUOFENG

拓锋半导体

MACHINE SCREW PAN PHILLIPS 10-32

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KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

20V P-Channel Increased MOS FET

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FUMAN

富满微

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-8-6 18:28:01
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    SLA-24VDC-SL-C,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五,八五二七四六六二 ,企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三 四六九零六.V:八七六八零五五八.

    2021-6-6
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    SLA-12VDC-SL-C,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五,八五二七四六六二 ,企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三 四六九零六.V:八七六八零五五八.

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    特点 •可编程输出电压为36伏特 •灌电流能力的一点○毫安至100mA •典型的低动态阻抗0.15Ω •温度补偿操作的全额定工作温度 •相当于全范围温度为50ppm/ ° C(典型值)系数 •低输出噪声电压 •电压参考公差:±1.0%(打= 25℃) 应用 办公室 通信设备 测量设备 国内电气化等

    2013-3-15
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    特点 •4稳压器结合在同一个封装 •绝缘单直插式封装 •SLA3005M/3006M 5V/0.5A“4个输出和5V/0.5A SLA3007M 3,3.3V/0.5A“1输出 •低压差电压:VDIF英镑0.5V(在IO = 0.5A) •输出独立的ON / OFF控制终端与LS - TTL兼容(活动高) •独立输出过流和热保护电路,内置 •开放式集电极旗输出,每个输出OCP操作内置的终端输出端(低电平有效)

    2013-1-12