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N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●GreenDeviceAvailable Description: TheADM80N03ZusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withl

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

爱德微爱德微(深圳)电子有限公司

ADV

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

FastSwitchingCharacteristic

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A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

A-POWER

FastSwitchingCharacteristic

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A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

A-POWER
更新时间:2025-7-31 17:24:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi/台湾微碧
21+
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